规格书 |
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文档 |
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 50 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 4A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 1.5V @ 1A, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 20 @ 800mA, 3V |
功率 - 最大 | 70W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | TO-220 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 400 V |
集电极最大直流电流 | 4 A |
最小直流电流增益 | 45@0.1A@5V|20@0.8A@3V |
最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.2A@1A|1.5@1A@3.5A V |
最大集电极基极电压 | 1050 V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 70000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 4 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 70000 |
最大基地发射极电压 | 15 |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 1050 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 400 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 4A |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1.5V @ 1A, 3.5A |
电流 - 集电极截止(最大) | 250µA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 400V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 70W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 20 @ 800mA, 3V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 15 V |
系列 | FJP5554 |
直流集电极/增益hfe最小值 | 45 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
单位重量 | 0.063493 oz |
安装风格 | Through Hole |
集电极 - 基极电压VCBO | 1.05 kV |
最低工作温度 | - 55 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 5 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 4 A |
集电极 - 基极电压 | 1050 V |
集电极 - 发射极电压 | 400 V |
发射极 - 基极电压 | 15 V |
功率耗散 | 70 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益 | 45 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
身高 | 9.4 mm (Max) |
长度 | 10.1 mm (Max) |
Pd - Power Dissipation | 75 W |
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